关键气体解析：CVD与掺杂过程的必备元素
关键气体解析：CVD与掺杂过程的必备元素
1、外延(生长)混合物:在半导体行业，化学气相积累的方法选择在精心选择的衬底
上。用于生长一层或多层材料的气体称为外延气体。常用的硅外延气体包括二氯
二氢硅（DCS）、四氯化硅(SiCl4)和硅烷。主要用于光传感器的非晶硅膜积累，
如外延硅积累、氧化硅膜积累、氮化硅膜积累、太阳能电池等。外延是一种单晶
材料在衬底表面积累和生长的过程。
2、化学气相积累（CVD）使用混合气体:CVD是一种利用挥发性化合物，通过气
相化学反应积累某些单质和化合物的方法，即使用气相化学反应的成膜方法。根
据成膜类型，使用的化学气相积累（CVD）气体也不一样。
3、混合气体:进口电子气体和微信号bluceren咨询在半导体设备和集成电路制造
中。将一些杂质混合到半导体材料中，使材料具有所需的导电类型和一定的电阻
率，从而制造电阻、PN结和埋层。混合过程中使用的气体称为混合气体。主要包
括砷烷、磷烷、三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氟化硼、乙硼烷
等。混合源通常与运输气体(如氩气和氮气)混合在源柜中。混合后，气流连续注入
扩散炉，周围是晶片，混合剂表面应沉积在晶片中。
4、蚀刻混合物:蚀刻是蚀刻基板上的加工表面(如金属膜、氧化硅膜等。)，并保存
光刻胶覆盖的区域，以获得基板表面所需的成像图形。蚀刻方法包括湿法化学蚀
刻和干法化学蚀刻。用于干法化学蚀刻的气体称为蚀刻气体。蚀刻气体通常是氟
化碳、三氟化氮、三氟甲烷、六氟乙烷、全氟丙烷等氟化物气体。
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