电子集六氟化硫还是一种理想的蚀刻剂，六氟化硫是一种绝缘性极佳的气体，经常被用于高压灭弧以及变电器、高压传输线、互感器等当中。电子级高纯六氟化硫做蚀刻剂，被大量应用于微电子技术领域。今天纽瑞德小编就为大家介绍一下六氟化硫在氮化硅蚀刻中的应用和不同参数的影响吧。
我们探讨SF6电浆蚀刻SiNx製程，包括改变电浆功率、SF6/He的气体配比并加入阴电性气体O2，探讨其对TFT之元件保护层SiNx的蚀刻速率的影响，并利用电浆放射光谱仪对SF6/He、SF6/He/O2电浆中各物种浓度变化及SF6解离率进行分析，探讨SiNx蚀刻速率之变化与电浆物种浓度之关连性。
研究发现，提高电浆功率时，蚀刻速率随之上升；若增加电浆中SF6的流量，则F原子浓度增加且与蚀刻速率成正相关。另在总流量固定下添加阴电性气体O2后，则会产生增加蚀刻速率的效果，但在不同的O2/SF6流量配比下，则会有不同的反应机构，可分成三部分：
(1)O2/SF6流量配比值很小时，O2可帮助SF6的解离，此时蚀刻速率比未添加O2时为大。
(2)当O2/SF6流量配比值大于0.2到趋近于1的区间时，此时因SF6大量解离形成F原子，故蚀刻速率是最高的；但同时电浆中O原子也在增加且易与SiNx膜面形成SiOx或SiNxO(y-x)，而O原子增加愈多则使F原子愈不易进行蚀刻反应，故O2/SF6比值接近1时蚀刻速率开始趋缓。
(3)当O2/SF6配比值大于1时，蚀刻速率下降。因O2大量增加，解离的F原子与O2发生碰撞并形成OF，降低F原子浓度，而导致蚀刻速率的降低。由此中可知，当添加O2后，O2/SF6的流量比值=0.2~0.8之间，可得到最佳的蚀刻速率。
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